RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
9.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2486
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link