RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
9.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2437
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link