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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.4
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2966
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
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