RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3409
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link