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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3000
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Kingston XN205T-MIE2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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