RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2882
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link