RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.1
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
17.4
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
4142
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link