RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
17.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3956
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link