RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
16.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3926
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link