RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
46
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
19.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
4215
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link