RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
46
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
9.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2254
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link