RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
48
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3047
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link