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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3049
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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