RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2846
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link