RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3208
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link