RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3234
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link