RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
46
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2935
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link