RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
64
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
8.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2065
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link