RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
48
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2261
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link