RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
52
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2260
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link