RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.4
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2830
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link