RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2664
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link