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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
6.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2272
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
0 ns
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