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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
46
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2181
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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