RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
3200
Rund um 7.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
23400
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2709
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link