RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3136
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link