RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
64
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
8.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2103
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD AE34G1601U2K 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link