RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
55
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2293
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link