RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
55
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2293
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link