RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
46
Rund um -119% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3350
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451R7AFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link