Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gesamtnote
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

Unterschiede

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    46 left arrow 67
    Rund um 31% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 16.2
    Durchschnittswert bei den Tests
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 1,519.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 3200
    Rund um 6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 67
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,519.2 left arrow 8.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    241 left arrow 1798
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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