RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.0
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2608
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link