RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
65
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
14.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
3500
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link