RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
60
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3086
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link