RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
60
Autour de -107% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3086
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link