RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
60
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3070
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link