RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
17.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
77
Rund um -250% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
17.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3929
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link