RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3929
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link