RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
65
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3102
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link