RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
57
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3601
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link