RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
57
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
28
Velocità di lettura, GB/s
6.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
3601
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link