RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
49
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2331
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link