RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2951
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link