RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2890
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link