Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.2 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.8 left arrow 7.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 14.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.3 left arrow 9.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2057 left arrow 2890
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania