RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3635
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link