Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 19.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,784.6 15.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 65

Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,806.8 19.8
Скорость записи, Гб/сек

2,784.6 15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

932 3635

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB

модули RAM