RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
2624
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link