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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Confronto
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
42
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
23
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1933
2624
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
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