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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2890
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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