RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
101
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
101
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1382
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link