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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
8.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
49
读取速度,GB/s
8.0
8.8
写入速度,GB/s
7.3
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2331
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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